招生专业：新一代电子信息技术（含量子技术等）

研究方向：嵌入式电子技术、宽禁带半导体电子器件

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学术成果：

1、代表性学术论文

[1] X. S. Li, X. Liu, Y. D. Li, et al. Using Novel Semiconductor Features to Construct Advanced ZnO Nanowires-Based Ultraviolet Photodetectors: A Brief Review. IEEE ACCESS, vol. 9, 11954-11973, 2021.

[2] X. S. Li, L. A. Yang, X. H. Ma, et al. A new lattice-matched In0.17Al0.83N~GaNbased heterostructure IMPATT diode forterahertz application. Semiconductor Science and Technology, vol. 34, no.11, 2019.

[3] X. S. Li, L. A. Yang, X. Y. Zhang, et al. GaN/Al_xGa_1-xN/GaN heterostructure IMPATT diode for D-band applications. Applied Physics A: Materials Science & Processing, vol. 125, no. 3, 2019.

[4] 李秀圣，曹连振。In_0.17Al_0.83N/GaN IMPATT二极管的温度特性，2020.12，半导体技术。

2、专著

模拟电子技术，上海交通大学出版社，2023.07.

3、主要授权专利

[1] 2024.06.24-2025.05.31：横向课题：医院医疗废水检测及自动处理系统开发，结题，李秀圣/1。

[2] 2024.10-2026.09：省部级子课题：微型传感器封装元器件生产工艺的研发，在研，李秀圣/1。