韩锴，教授，物理与电子信息学院副院长，入选潍坊学院杰出青年计划人才。一直从事集成电路器件相关的材料、工艺及集成技术研究，主持国家自然科学基金项目、山东省自然科学基金和潍坊市科技发展计划项目各1项，主持横向合作课题11项，参与国家自然科学基金项目4项；发表论文50余篇，其中以第一/通讯作者发表SCI、EI期刊论文20篇，授权发明专利6项。

1、代表性学术论文

1）Impact of Saturated Spontaneous Polarization on the Endurance Fatigue of Si FeFET With Metal/Ferroelectric/Interlayer/Si Gate Structure, IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70(8): 4055-4061

2）A Physics-Based Model of Charge Trapping Behavior of Si FeFET With Metal/Ferroelectric/Interlayer/Si Structure, IEEE Transactions on Electron Devices,2023, 70(9): 4641-4646

3）Impact of Charges at Ferroelectric/Interlayer Interface on Depolarization Field of Ferroelectric FET With

[1]2023.01-2025.12：山东省自然科学基金委员会面上项目，ZR2022MF313，铪基铁电晶体管疲劳特性提升方法的研究，在研，项目负责人

[2] 2015.01-2017.12: 国家自然基金委员会青年项目，高k材料的表面态及内部电荷对SiC MOS器件中高k/SiC能带结构的影响的基础研究，结题，项目负责人