李秀圣,副教授,毕业于西安电子科技大学,获博士学位;主要研究方向为嵌入式电子技术半导体电子器件
参与项目与获奖:
潍坊学院横向项目:电力电缆故障检测及定位系统开发,125万元,2021.10—2022.9(主持人)
潍坊市科技发展计划项目:面向亚毫米波通信应用的InAlN/GaN异质结功率IMPATT器件关键技术研究,潍坊市科技局,2万元,2020.11-2022.12
产学合作协同育人项目:基于校企合作的创新型师资培训机制研究,教育部,1万元,2020.1-2020.12
TI杯全国大学生电子设计大赛,省级一等奖,2022(指导教师)
大学生创新创业训练计划项目,山东省教育厅,2021
发表论文与获批专利:
X. S. Li, X. Liu, Y. D. Li, et al. Using Novel Semiconductor Features to Construct Advanced ZnO Nanowires-Based Ultraviolet Photodetectors: A Brief Review. IEEE ACCESS, vol. 9, 11954-11973, 2021.
X. S. Li, L. A. Yang, X. H. Ma, et al. A new lattice-matched In0.17Al0.83N~GaNbased heterostructure IMPATT diode forterahertz application. Semiconductor Science and Technology, vol. 34, no.11, 2019.
X. S. Li, L. A. Yang, X. Y. Zhang, et al. GaN/AlxGa1-xN/GaN heterostructure IMPATT diode for D-band applications. Applied Physics A: Materials Science & Processing, vol. 125, no. 3, 2019.
李秀圣,曹连振。In0.17Al0.83N/GaN IMPATT二极管的温度特性,2020.12,半导体技术